Мы переехали на WST-Place.com
Windows 8
Приветствую Вас Гость
Среда, 22.11.2017, 21:28



Внимание! На сайте только обсуждение ПО, любые ссылки на активаторы и\или программы не распространяемые разработчиками публично - запрещены!

Главная » 2010 » Март » 10 » Первый в мире транзистор без p-n переходов сможет перевернуть всю электронную промышленность
Первый в мире транзистор без p-n переходов сможет перевернуть всю электронную промышленность
01:08

P-n переход является в настоящее время базовым элементом, на котором держится вся электроника. Состоящий из двух слоев кремния, легированных специальными материалами, придающих этим слоям разнополярные свойства, p-n переход требует для его преодоления электрическим током затрат энергии, которая в прямом виде выделяется в виде тепла. В последнее время все чаще и чаще появляется информация о том, что вероятно, в ближайшее время развитие электроники перестанет подчинятьсяДоступно только для пользователей из-за технологических трудностей, связанных именно с технологией производства кремниевых полупроводников на базе p-n переходов. Но, группе ирландских ученых из Национального института Тиндалля удалось разработать и создать первый образец беспереходного транзистора, изготовленного по технологии, представляющей собой слияние нанотехнологий и полупроводниковых технологий.
Беспереходный транзистор обходит необходимость использования p-n переходов, пропуская электрический ток через кремниевые нанопроводники диаметром всего в несколько атомов. Компонент этого транзистора, названный "обручальное кольцо" (wedding ring), используется для управления силой тока, текущего через этот транзистор, "зажимая" проводник электрическим способом, подобно тому, как можно регулировать поток жидкости, текущей через трубочку, сжимая ее. Архитектура этого беспереходного транзистора достаточно проста, их производство может стать более дешевым, чем производство обычных полупроводниковых транзисторов. Так же в случае беспереходного транзистора практически отсутствуют затраты энергии на его преодоление, что в свою очередь, сведет на нет нагрев полупроводниковых чипов и значительно снизит потребляемую ими мощность.
Конечно, использование кремниевых нанопроводников подразумевает использование совершенно других технологий при производстве полупроводников, чем те, которые используются в настоящее время. И еще неизвестно, станет ли возможной реализация подобной технологии в промышленных масштабах, но, если это получится, то в будущем произойдет революция в архитектуре электронных приборов и микросхем.
Источник: dailytechinfo.org
Категория: Новости железа | Просмотров: 1060 | Добавил: SCORPION | Теги: транзистор, Национальный институт Тиндалля, беспереходный транзистор, кремниевые полупроводники, закон Гордона Мура, P-n переход, полупроводниковый чип | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Форма входа
Категории раздела
Новости команды [3]
События, которые произошли или планируются в нашей команде
Новости сайта [5]
Новости, связанные с нашим сайтом
Новости софта [101]
Новости, связанные с миром программного обеспечения
Новости железа [25]
Новости из мира железной составляющей компьютера
Поиск
Календарь
«  Март 2010  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
1234567
891011121314
15161718192021
22232425262728
293031
Архив записей
Друзья сайта
  • Windows 8
  • Black SPA (Putnik & Secmac)
  • FREEISLAND.org
  • Dark-os.com
  • kompcollega.com.ua
  • Статистика

    Онлайн всего: 1
    Гостей: 1
    Пользователей: 0